CEN2321A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEN2321A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SOT23
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CEN2321A datasheet
cen2321a.pdf
CEN2321A PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V, -3.7A, RDS(ON) = 60m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 80m @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead-free plating ; RoHS compliant. SOT-23 package. G D S G S SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit
cen2307a.pdf
CEN2307A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -3.2A, RDS(ON) = 78m @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead-free plating ; RoHS compliant. SOT-23 package. G D S G S SOT-23-T ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Lim
cen2301.pdf
CEN2301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V, -2.7A, RDS(ON) = 110m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 160m @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead-free plating ; RoHS compliant. SOT-23-T package. G D S G S SOT-23-T ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units
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History: CED25N02
History: CED25N02
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