CJE3139K Todos los transistores

 

CJE3139K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJE3139K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
 

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CJE3139K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1080K  jiangsu
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CJE3139K

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJE3139K P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 520 m@-4.5V-20V -0.66Am700 @-2.5V950m(TYP)@-1.8V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing, Logic Switching

 8.1. Size:3412K  jiangsu
 cje3134k.pdf pdf_icon

CJE3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJE3134K N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 380 m@4.5V20V 0.75Am450 @2.5V800m@1.8V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Drivers:Relays, Solenoids, High-Side Switching Lamps, Hammers, Displays, Memories Low On-Resistance Battery Operat

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History: SI7860DP | RJK0397DPA | NVMFD5C478N | NTMFD4C20N | SRC65R1K3ES | 2SK947 | RHU003N03

 

 
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