CJE3139K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJE3139K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Encapsulados: SOT523
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CJE3139K datasheet
cje3139k.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJE3139K P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 520 m @-4.5V -20V -0.66A m 700 @-2.5V 950m (TYP)@-1.8V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing, Logic Switching
cje3134k.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJE3134K N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 380 m @4.5V 20V 0.75A m 450 @2.5V 800m @1.8V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Drivers Relays, Solenoids, High-Side Switching Lamps, Hammers, Displays, Memories Low On-Resistance Battery Operat
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