Справочник MOSFET. CJE3139K

 

CJE3139K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJE3139K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJE3139K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1080K  jiangsu
 cje3139k.pdf pdf_icon

CJE3139K

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJE3139K P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 520 m@-4.5V-20V -0.66Am700 @-2.5V950m(TYP)@-1.8V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing, Logic Switching

 8.1. Size:3412K  jiangsu
 cje3134k.pdf pdf_icon

CJE3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJE3134K N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 380 m@4.5V20V 0.75Am450 @2.5V800m@1.8V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE Drivers:Relays, Solenoids, High-Side Switching Lamps, Hammers, Displays, Memories Low On-Resistance Battery Operat

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: JCS4AN120SA | FDB44N25TM | IAUC100N10S5N040 | STU601S | 7N65KL-T2Q-T | HTO350N03 | 2SK2432

 

 
Back to Top

 


 
.