CJK3400A Todos los transistores

 

CJK3400A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJK3400A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: SOT23

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CJK3400A datasheet

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CJK3400A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 32m @10V 30V 38m @4.5V 5.8A 45m @2.5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN D FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Exceptional on-r

 0.1. Size:1664K  jiangsu
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CJK3400A

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3400AH N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 27m @10V 30V 32m @4.5V 5.8A 48m @2.5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN D FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load/Power Switching Exceptional on-resist

 8.1. Size:1634K  jiangsu
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CJK3400A

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3401AH P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L 50m @-10V -30V -4.2A 60 m @-4.5V m @-2.5V 85 FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load Switch for Portable Devices Exceptional on-resistance and maximum

 8.2. Size:780K  jiangsu
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CJK3400A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-3L m @-10V 60 -30V 70 m -4.2A @-4.5V m @-2.5V 85 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN D FEATURE APPLICATION High dense cell design for extremely low RDS(ON) Load Switch for Portable Devi

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