CJL2623 Todos los transistores

 

CJL2623 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJL2623
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJL2623 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1001K  jiangsu
 cjl2623.pdf pdf_icon

CJL2623

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETsCJL2623 Dual P-Channel MOSFET SOT-23-6L ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 130m@-10V-30 V -3A180m@-4.5VFEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC converter Low Gate Charge Load switch for portable devices Low On-resistance Commercial-industrial applications Surfac

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: GSM3404 | BLM10P03-Q | 7N80L-TA3-T | MCH3476 | AP40N03GJ-HF | P1160JD | MT3245

 

 
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