CJL2623 Todos los transistores

 

CJL2623 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJL2623
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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CJL2623 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1001K  jiangsu
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CJL2623

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETsCJL2623 Dual P-Channel MOSFET SOT-23-6L ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 130m@-10V-30 V -3A180m@-4.5VFEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC converter Low Gate Charge Load switch for portable devices Low On-resistance Commercial-industrial applications Surfac

Otros transistores... CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH , CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , 8N60 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S .

History: AFN3410 | PDC3908X | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | 2N06L09P

 

 
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