CJL8205A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJL8205A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Encapsulados: SOT23-6L
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CJL8205A datasheet
cjl8205a.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL8205A Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-6L 30 m @4.5V 5A 20V @2.5V 45m FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and Current Handing Ca
Otros transistores... CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH , CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , AON7403 , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 .
History: AP2N050G | AP13P15GS | AP9962AGM | APM9926K | AP9451GG | AP0603GM | STF13NM60ND
History: AP2N050G | AP13P15GS | AP9962AGM | APM9926K | AP9451GG | AP0603GM | STF13NM60ND
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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