CJL8205A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CJL8205A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CJL8205A Datasheet (PDF)
cjl8205a.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL8205A Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-6L 30m@4.5V 5A20V@2.5V45mFEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and Current Handing Ca
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: US5U2 | SIHG47N60S | AP9972GH | 9N95 | BRCS100N03BD | OSG65R580FSF | HGI110N08AL
History: US5U2 | SIHG47N60S | AP9972GH | 9N95 | BRCS100N03BD | OSG65R580FSF | HGI110N08AL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720