CJMNP517 Todos los transistores

 

CJMNP517 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJMNP517
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFNWB2X2-6L-U
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJMNP517 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2810K  jiangsu
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CJMNP517

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2X2-6L-U Plastic-Encapsulate MOSFETS CJMNP517 N Channel +P Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFNWB2X2-6L-U24m@10V27m@4.5V12V6A42m@2.5V72m@1.8V45m@-4.5V-12V 60m@-2.5V-4.1A90m@-1.8VFEATURE APPLICATION Surface Mount Package Power Management In Note Book Super

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History: HM12N20D | NCE65TF099F | HUFA76423S3ST | P06P03LDG

 

 
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