CJMNP517 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJMNP517
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Encapsulados: DFNWB2X2-6L-U
Búsqueda de reemplazo de CJMNP517 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
CJMNP517 datasheet
cjmnp517.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2X2-6L-U Plastic-Encapsulate MOSFETS CJMNP517 N Channel +P Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFNWB2X2-6L-U 24m @10V 27m @4.5V 12V 6A 42m @2.5V 72m @1.8V 45m @-4.5V -12V 60m @-2.5V -4.1A 90m @-1.8V FEATURE APPLICATION Surface Mount Package Power Management In Note Book Super
Otros transistores... CJK3401AH , CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , EMB04N03H , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555