CJMNP517 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CJMNP517
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: DFNWB2X2-6L-U
Аналог (замена) для CJMNP517
CJMNP517 Datasheet (PDF)
cjmnp517.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2X2-6L-U Plastic-Encapsulate MOSFETS CJMNP517 N Channel +P Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX DFNWB2X2-6L-U24m@10V27m@4.5V12V6A42m@2.5V72m@1.8V45m@-4.5V-12V 60m@-2.5V-4.1A90m@-1.8VFEATURE APPLICATION Surface Mount Package Power Management In Note Book Super
Другие MOSFET... CJK3401AH , CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , 2SK3918 , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 .
History: BL4N80-D | S15H12S | CEM6600 | HGA170N10AL | UML2502G-AE3-R | BLP055N09G-P
History: BL4N80-D | S15H12S | CEM6600 | HGA170N10AL | UML2502G-AE3-R | BLP055N09G-P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555