CJQ4406 Todos los transistores

 

CJQ4406 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJQ4406

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de CJQ4406 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CJQ4406 datasheet

 ..1. Size:2418K  jiangsu
 cjq4406.pdf pdf_icon

CJQ4406

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CJQ4406 N-Channel Power MOSFET ID V (BR)DSS RDS(on)MAX SOP8 12m @10V 30V 10A 16m @4.5V DESCRIPTION The CJQ4406 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for high side switch in SMPS and general purpose applications. APPLIC

 9.1. Size:1856K  jiangsu
 cjq4435.pdf pdf_icon

CJQ4406

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4435 P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS R DS(on) MAX SOP8 24 -10V m @ -9.1A -30V 35m @ -4.5 V DESCRIPTION The CJQ4435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is idea

 9.2. Size:2130K  jiangsu
 cjq4435s.pdf pdf_icon

CJQ4406

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4435S P-Channel Power MOSFET ID R DS(o n) TYP V(BR)DSS SOP8 18m @-10V -30V -7.3A 26m @ -4.5V DESCRIPTION The CJQ4435S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally

 9.3. Size:2370K  jiangsu
 cjq4410.pdf pdf_icon

CJQ4406

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4410 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS R DS(on) MAX SOP8 13.5 10 m @ V 7.5A 30V 20m @ 4.5V DESCRIPTION The CJQ4410 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideall

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , AO4407A , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 , CJQ7328 .

History: ME2326A | 2SK3047 | APM9904K | CJMNP517

 

 

 

 

↑ Back to Top
.