Справочник MOSFET. CJQ4406

 

CJQ4406 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJQ4406
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для CJQ4406

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJQ4406 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2418K  jiangsu
cjq4406.pdfpdf_icon

CJQ4406

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CJQ4406 N-Channel Power MOSFETID V (BR)DSS RDS(on)MAX SOP8 12m@10V30V10A16m@4.5VDESCRIPTION The CJQ4406 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. This device is suitable for high side switch in SMPS and general purpose applications.APPLIC

 9.1. Size:1856K  jiangsu
cjq4435.pdfpdf_icon

CJQ4406

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4435 P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS R DS(on) MAX SOP8 24 -10V m@-9.1A-30V 35m@ -4.5 V DESCRIPTION The CJQ4435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is idea

 9.2. Size:2130K  jiangsu
cjq4435s.pdfpdf_icon

CJQ4406

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4435S P-Channel Power MOSFET ID R DS(o n) TYPV(BR)DSS SOP818m@-10V -30V -7.3A26m@ -4.5V DESCRIPTION The CJQ4435S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally

 9.3. Size:2370K  jiangsu
cjq4410.pdfpdf_icon

CJQ4406

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4410 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS R DS(on) MAX SOP8 13.5 10m@ V 7.5A30V 20m@ 4.5V DESCRIPTION The CJQ4410 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideall

Другие MOSFET... CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , AO3407 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 , CJQ7328 .

History: BRF7N65 | TSM2303CX | S10H08R | DMN2104L-7 | AP30H80G | RXH100N03 | SI2341

 

 
Back to Top

 


 
.