CJQ4503 Todos los transistores

 

CJQ4503 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJQ4503
   Código: Q4503
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.5(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJQ4503 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6617K  jiangsu
cjq4503.pdf pdf_icon

CJQ4503

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CJQ4503 N-and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOP8 28m@10V 30V6.9A42m@4.5V36m@-10V-30V-6.3A55m@-4.5V DESCRIPTION Advance Power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, low

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History: WMT04P10TS | NTS4409N | SVF13N50S | SQJ431EP | 2SK2556 | PJD4NA70 | STL86N3LLH6AG

 

 
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