CJQ4503 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJQ4503
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Encapsulados: SOP8
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CJQ4503 datasheet
cjq4503.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CJQ4503 N-and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOP8 28m @10V 30V 6.9A 42m @4.5V 36m @-10V -30 V -6.3A 55m @-4.5V DESCRIPTION Advance Power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, low
Otros transistores... CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , IRFP064N , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 , CJQ7328 , CJQ9926 , CJS2013 .
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