CJQ4503 Todos los transistores

 

CJQ4503 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJQ4503
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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CJQ4503 Datasheet (PDF)

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CJQ4503

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CJQ4503 N-and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOP8 28m@10V 30V6.9A42m@4.5V36m@-10V-30V-6.3A55m@-4.5V DESCRIPTION Advance Power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, low

Otros transistores... CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , 5N50 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 , CJQ7328 , CJQ9926 , CJS2013 .

History: 2N7002G-AE2-R | CEM3252 | CEM3178

 

 
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