CJQ4800 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJQ4800
   Código: Q4800
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6.9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.4 V
   Tiempo de subida (tr): 7(max) nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 93 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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CJQ4800 Datasheet (PDF)

..1. Size:1785K jiangsu
cjq4800.pdf

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9.1. Size:5643K jiangsu
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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dual N-Channel MOSFET CJQ4824SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP10.5m@10V10A30V14.5m@4.5VDESCRIPTION The CJQ4824 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.Equivalent Circ

9.2. Size:2271K jiangsu
cjq4828.pdf

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Liste

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