CJQ4824 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJQ4824
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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CJQ4824 Datasheet (PDF)

..1. Size:5643K jiangsu
cjq4824.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dual N-Channel MOSFET CJQ4824SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP10.5m@10V10A30V14.5m@4.5VDESCRIPTION The CJQ4824 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.Equivalent Circ

8.1. Size:2271K jiangsu
cjq4828.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4828 Dual N-Channel MOSFET SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 56m@10V60V 4.5A77m@ 4.5V DESCRIPTION The CJQ4828 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Equivalent Ci

9.1. Size:1785K jiangsu
cjq4800.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dual N-Channel MOSFET CJQ4800SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP16m@10V30V 6.9A19m@4.5VDESCRIPTION The CJQ4800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. MARKING: Equivale

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