CJS2016 Todos los transistores

 

CJS2016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJS2016
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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CJS2016 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1556K  jiangsu
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CJS2016

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETSTSSOP8 CJS2016 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYPm@4.5V15.7 6A20V20 @2.5VmFEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and Current Handing Capability

 8.1. Size:1945K  jiangsu
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CJS2016

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS2019 Dual N-Channel MOSFET TSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYPm@4.5V 19.5 5A20V@2.5V24 mFEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and Current Handing Capability

 8.2. Size:2711K  jiangsu
 cjs2013.pdf pdf_icon

CJS2016

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJS2013 Dual N-Channel MOSFET TSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP10.5 m@4.5V11.4 m@3.8V20 6AV12.3 m@3.1V13.5m@2.5VFEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and

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History: UTT36N10 | DHS022N06E | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | 2SK1930

 

 
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