CJS2016 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJS2016
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: TSSOP8
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CJS2016 datasheet
cjs2016.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS TSSOP8 CJS2016 Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP m @4.5V 15.7 6A 20 V 20 @2.5V m FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and Current Handing Capability
cjs2019.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS2019 Dual N-Channel MOSFET TSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP m @4.5V 19.5 5A 20 V @2.5V 24 m FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and Current Handing Capability
cjs2013.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS2013 Dual N-Channel MOSFET TSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 10.5 m @4.5V 11.4 m @3.8V 20 6A V 12.3 m @3.1V 13.5 m @2.5V FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery Protection Excellent RDS(on) Load Switch Low Gate Charge Power Management High Power and
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