CJS8820 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJS8820
   Código: S8820
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

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CJS8820 Datasheet (PDF)

..1. Size:1494K jiangsu
cjs8820.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS8820 Dual N-Channel MOSFETTSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP Vm@1014@4.5V 16m20V7Am@3.8V1822m@2.5VDESCRIPTION The CJS8820 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni

9.1. Size:1311K jiangsu
cjs8810.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS8810 Dual N-Channel MOSFETTSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP@4.5V14.2m15.4m@3.8V20V 7A18.2m@2.5V26m@1.8VDESCRIPTION The CJS8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-

9.2. Size:1162K jiangsu
cjs8804.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS8804 Dual N-Channel MOSFETTSSOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 9.8 4 10.511.1 8A 2 13.3 19.6DESCRIPTION The CJS8804 use advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This devi

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Liste

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