CJS9004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJS9004
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
Búsqueda de reemplazo de CJS9004 MOSFET
CJS9004 Datasheet (PDF)
cjs9004.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Plastic-Encapsulate MOSFETS TSSOP8 TSSOP8 Dual N-Channel MOSFET CJS9004IDV(BR)DSS RDS(on)TYP 5m7.@4.5V0m8.@4.0V20V10Am 8.4 @3.8V8.9 m@3.1V9.7 m@2.5VDESCRIPTION The CJS9004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This devic
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History: HGP049N10S | 2SK1478 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | CEF02N6G | UTT25P10L-TQ2-T | 2SK65
History: HGP049N10S | 2SK1478 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | CEF02N6G | UTT25P10L-TQ2-T | 2SK65



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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