CJS9004 Todos los transistores

 

CJS9004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJS9004
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJS9004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1999K  jiangsu
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CJS9004

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Plastic-Encapsulate MOSFETS TSSOP8 TSSOP8 Dual N-Channel MOSFET CJS9004IDV(BR)DSS RDS(on)TYP 5m7.@4.5V0m8.@4.0V20V10Am 8.4 @3.8V8.9 m@3.1V9.7 m@2.5VDESCRIPTION The CJS9004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This devic

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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