CJS9004 Todos los transistores

 

CJS9004 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJS9004

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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CJS9004 datasheet

 ..1. Size:1999K  jiangsu
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CJS9004

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Plastic-Encapsulate MOSFETS TSSOP8 TSSOP8 Dual N-Channel MOSFET CJS9004 ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 5m 7. @4.5V 0m 8. @4.0V 20V 10A m 8.4 @3.8V 8.9 m @3.1 V 9.7 m @2.5V DESCRIPTION The CJS9004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This devic

Otros transistores... CJQ7328 , CJQ9926 , CJS2013 , CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 , IRF1404 , CJT04N15 , CJU20N06 , CJU80N03 , CJX3134K , CJX3139K , CJX3439K , 2N7002KD , FS2301 .

History: IPP45N04S4L-08

 

 

 

 

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