CJS9004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJS9004
Código: S9004
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.9 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 64 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 225 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
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CJS9004 Datasheet (PDF)
cjs9004.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Plastic-Encapsulate MOSFETS TSSOP8 TSSOP8 Dual N-Channel MOSFET CJS9004IDV(BR)DSS RDS(on)TYP 5m7.@4.5V0m8.@4.0V20V10Am 8.4 @3.8V8.9 m@3.1V9.7 m@2.5VDESCRIPTION The CJS9004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This devic
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