CJX3134K Todos los transistores

 

CJX3134K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJX3134K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: SOT563

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CJX3134K datasheet

 ..1. Size:2634K  jiangsu
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CJX3134K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJX3134K Dual N-Channel MOSFET SOT-563 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 380m @ 4.5V 20V 450m @2.5V 0.75A 800m @1.8V FEATURE APPLICATION Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low

 8.1. Size:2856K  jiangsu
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CJX3134K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ 3139K Dual P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-563 520m @-4.5V 700m @-2.5V -20 V -0.66A 950m (TYP)@-1.8V GENERRAL DESCRIPTION This Dual P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). Including two P-ch CJ3139K MOSF

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