CJX3139K Todos los transistores

 

CJX3139K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJX3139K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CJX3139K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2856K  jiangsu
 cjx3139k.pdf pdf_icon

CJX3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ 3139K Dual P-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-563 520m@-4.5V700m@-2.5V-20V-0.66A950m(TYP)@-1.8VGENERRAL DESCRIPTION This Dual P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). Including two P-ch CJ3139K MOSF

 8.1. Size:2634K  jiangsu
 cjx3134k.pdf pdf_icon

CJX3139K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJX3134K Dual N-Channel MOSFET SOT-563 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 380m@ 4.5V20V 450m@2.5V0.75A800m@1.8VFEATURE APPLICATION Load/Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Switch with Low

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