CJX3439K Todos los transistores

 

CJX3439K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJX3439K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: SOT563

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CJX3439K datasheet

 ..1. Size:924K  jiangsu
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CJX3439K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJX3439K N Channel +P Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-563 380m @ 4.5V 20V 450m @2.5V 0.75A 800m @1.8V 520m @-4.5V 700m @-2.5V -20 V -0.66A 950m (TYP)@-1.8V FEATURE APPLICATION Surface Mount Package Load/ Powe

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