DMN67D8LW MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMN67D8LW
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.47 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.1 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Encapsulados: SOT323
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DMN67D8LW datasheet
dmn67d8lw.pdf
DMN67D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 240mA 5.0 @ VGS = 10V Fast Switching Speed 60V 190mA 7.5 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Fr
dmn67d8l.pdf
DMN67D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 60V 7.5 @ VGS = 5V 210mA Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description
Otros transistores... DMN61D8LQ , DMN61D8LVT , DMN61D9UW , DMN62D0U , DMN63D8L , DMN63D8LW , DMN65D8LQ , DMN67D8L , IRF1405 , DMN7022LFGQ , DMNH4006SPSQ , DMNH6021SK3Q , DMNH6042SSDQ , DMP1005UFDF , DMP1009UFDF , DMP1055USW , DMP10H400SE .
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Liste
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