DMN67D8LW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMN67D8LW
Código: 7D8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.47 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.24 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 0.821 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4.1 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMN67D8LW
DMN67D8LW Datasheet (PDF)
dmn67d8lw.pdf
DMN67D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 240mA 5.0 @ VGS = 10V Fast Switching Speed 60V 190mA 7.5 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Fr
dmn67d8l.pdf
DMN67D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 60V 7.5 @ VGS = 5V 210mA Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
