DMN67D8LW. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMN67D8LW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.47 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.1 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: SOT323
Аналог (замена) для DMN67D8LW
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMN67D8LW даташит
dmn67d8lw.pdf
DMN67D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 240mA 5.0 @ VGS = 10V Fast Switching Speed 60V 190mA 7.5 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Fr
dmn67d8l.pdf
DMN67D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 60V 7.5 @ VGS = 5V 210mA Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description
Другие MOSFET... DMN61D8LQ , DMN61D8LVT , DMN61D9UW , DMN62D0U , DMN63D8L , DMN63D8LW , DMN65D8LQ , DMN67D8L , IRF1405 , DMN7022LFGQ , DMNH4006SPSQ , DMNH6021SK3Q , DMNH6042SSDQ , DMP1005UFDF , DMP1009UFDF , DMP1055USW , DMP10H400SE .
History: STP7NA40 | 2SK4151
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644


