FHA28N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FHA28N50A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 479 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 102 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 474 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN

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FHA28N50A Datasheet (PDF)

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fha28n50a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHA28N50A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 28A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.14 Fast switching Qg-typ 102nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/

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