Справочник MOSFET. FHA28N50A

 

FHA28N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHA28N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 479 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 474 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FHA28N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHA28N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:940K  feihonltd
 fha28n50a.pdf pdf_icon

FHA28N50A

N N-CHANNEL MOSFET FHA28N50A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 28A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.14 Fast switching Qg-typ 102nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/

Другие MOSFET... DMP2123LQ , DMP2165UW , DMP2170U , DMP3007SCG , FHA150N06C , FHA20N50A , FHA20N90A , FHA24N50A , IRF540N , FHA86N30A , FHA9N90D , FHD150N03B , FHD15N10A , FHD18P10A , FHD80N07C , FHF10N80A , FHF18N50A .

History: FQU10N20TU | PHB222NQ04LT | CSD17573Q5B | SPD07N60C3 | FDP15N50 | STN1NF10 | HY050N08P

 

 
Back to Top

 


 
.