FHA28N50A - описание и поиск аналогов

 

FHA28N50A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHA28N50A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 479 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 474 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для FHA28N50A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHA28N50A даташит

 ..1. Size:940K  feihonltd
fha28n50a.pdfpdf_icon

FHA28N50A

N N-CHANNEL MOSFET FHA28N50A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 28A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.14 Fast switching Qg-typ 102nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/

Другие MOSFET... DMP2123LQ , DMP2165UW , DMP2170U , DMP3007SCG , FHA150N06C , FHA20N50A , FHA20N90A , FHA24N50A , IRF540 , FHA86N30A , FHA9N90D , FHD150N03B , FHD15N10A , FHD18P10A , FHD80N07C , FHF10N80A , FHF18N50A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.