FHA28N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FHA28N50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 479 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 87 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 474 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FHA28N50A Datasheet (PDF)
fha28n50a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHA28N50A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 28A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.14 Fast switching Qg-typ 102nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IPB90N06S4L-04 | BF964S | SI7790DP | BSC032N03SG | 2SK2892-01R | AP60WN720I | TMP8N50Z
History: IPB90N06S4L-04 | BF964S | SI7790DP | BSC032N03SG | 2SK2892-01R | AP60WN720I | TMP8N50Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412