FHA86N30A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHA86N30A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 290 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 86 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 123 nC
Tiempo de subida (tr): 165 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 726 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
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FHA86N30A Datasheet (PDF)
..1. Size:1712K feihonltd
fha86n30a.pdf
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N N-CHANNEL MOSFET FHA86N30A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 86A Low gate charge VDSS 300 V Crss ( 82pF) Low Crss (typical 82pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 29m Fast switching Qg-typ 123nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
