FHA86N30A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FHA86N30A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 726 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для FHA86N30A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FHA86N30A даташит
fha86n30a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHA86N30A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 86A Low gate charge VDSS 300 V Crss ( 82pF) Low Crss (typical 82pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 29m Fast switching Qg-typ 123nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt
Другие MOSFET... DMP2165UW , DMP2170U , DMP3007SCG , FHA150N06C , FHA20N50A , FHA20N90A , FHA24N50A , FHA28N50A , 50N06 , FHA9N90D , FHD150N03B , FHD15N10A , FHD18P10A , FHD80N07C , FHF10N80A , FHF18N50A , FHF18N50C .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372

