FHA86N30A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHA86N30A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 165 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 726 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
FHA86N30A Datasheet (PDF)
..1. Size:1712K feihonltd
fha86n30a.pdf
fha86n30a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHA86N30A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 86A Low gate charge VDSS 300 V Crss ( 82pF) Low Crss (typical 82pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 29m Fast switching Qg-typ 123nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918