Справочник MOSFET. FHA86N30A

 

FHA86N30A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHA86N30A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 726 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FHA86N30A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHA86N30A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1712K  feihonltd
 fha86n30a.pdf pdf_icon

FHA86N30A

N N-CHANNEL MOSFET FHA86N30A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 86A Low gate charge VDSS 300 V Crss ( 82pF) Low Crss (typical 82pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 29m Fast switching Qg-typ 123nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

Другие MOSFET... DMP2165UW , DMP2170U , DMP3007SCG , FHA150N06C , FHA20N50A , FHA20N90A , FHA24N50A , FHA28N50A , 50N06 , FHA9N90D , FHD150N03B , FHD15N10A , FHD18P10A , FHD80N07C , FHF10N80A , FHF18N50A , FHF18N50C .

History: NCE70T540F | 12N70G-TA3-T | IRFM1310ST

 

 
Back to Top

 


 
.