FHF18N50A Todos los transistores

 

FHF18N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHF18N50A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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FHF18N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:891K  feihonltd
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FHF18N50A

N N-CHANNEL MOSFET FHF18N50A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 18A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.31 Fast switching Qg-typ 58nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/d

 6.1. Size:892K  feihonltd
 fhf18n50c.pdf pdf_icon

FHF18N50A

N N-CHANNEL MOSFET FHF18N50C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 18A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.31 Fast switching Qg-typ 58nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/d

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History: AFN3458 | IXFH28N60P3 | 2SK1905 | H4946S | IRF4104PBF | SIHFBC40S | MMN668A010U1

 

 
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