FHF18N50A - описание и поиск аналогов

 

FHF18N50A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHF18N50A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FHF18N50A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHF18N50A даташит

 ..1. Size:891K  feihonltd
 fhf18n50a.pdf pdf_icon

FHF18N50A

N N-CHANNEL MOSFET FHF18N50A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 18A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.31 Fast switching Qg-typ 58nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/d

 6.1. Size:892K  feihonltd
 fhf18n50c.pdf pdf_icon

FHF18N50A

N N-CHANNEL MOSFET FHF18N50C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 18A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.31 Fast switching Qg-typ 58nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/d

Другие MOSFET... FHA28N50A , FHA86N30A , FHA9N90D , FHD150N03B , FHD15N10A , FHD18P10A , FHD80N07C , FHF10N80A , IRF640N , FHF18N50C , FHF20N60A , FHP20N60A , FHA20N60A , FHF20N65A , FHP20N65A , FHA20N65A , FHF2N60A .

History: FHT5N60D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.