FHA20N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FHA20N60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 252 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHA20N60A

FHA20N60A Datasheet (PDF)

..1. Size:858K feihonltd
fhf20n60a fhp20n60a fha20n60a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHF20N60A/ FHP20N60A/FHA20N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.32 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C

7.1. Size:740K feihonltd
fhf20n65a fhp20n65a fha20n65a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHF20N65A/ FHP20N65A/FHA20N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.35 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C

8.1. Size:939K feihonltd
fha20n90a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHA20N90A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 20A Low gate charge VDSS 900 V Crss ( 18.3pF) Low Crss (typical 18.3pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.28 Fast switching Qg-typ 140.5nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impro

8.2. Size:402K feihonltd
fha20n50a.pdf

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