SSH8N60 Todos los transistores

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SSH8N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH8N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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SSH8N60 Datasheet (PDF)

5.1. ssh8n80a.pdf Size:935K _samsung

SSH8N60
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Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 ? Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1000 ? (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

5.2. ssh8n90a.pdf Size:937K _samsung

SSH8N60
SSH8N60

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.6 ? Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 ? (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value Units V

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