FHF4N90A Todos los transistores

 

FHF4N90A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FHF4N90A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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FHF4N90A datasheet

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FHF4N90A

N N-CHANNEL MOSFET FHF4N90A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 900V Crss ( 7.4pF) Low Crss (typical 7.4pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.6 Fast switching Qg-typ 25.2nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/

 9.1. Size:1158K  feihonltd
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FHF4N90A

N N-CHANNEL MOSFET FHU4N60A/FHP4N60A/FHD4N60A/FHF4N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.7 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

 9.2. Size:1197K  feihonltd
 fhu4n65d fhd4n65d fhp4n65d fhf4n65d.pdf pdf_icon

FHF4N90A

N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65D/FHD4N65D/FHP4N65D/FHF4N65D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

 9.3. Size:1084K  feihonltd
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FHF4N90A

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