FHF4N90A Todos los transistores

 

FHF4N90A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHF4N90A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHF4N90A

 

FHF4N90A Datasheet (PDF)

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FHF4N90A
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N N-CHANNEL MOSFET FHF4N90A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 900V Crss ( 7.4pF) Low Crss (typical 7.4pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.6 Fast switching Qg-typ 25.2nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/

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FHF4N90A
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N N-CHANNEL MOSFET FHU4N60A/FHP4N60A/FHD4N60A/FHF4N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.7 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

 9.2. Size:1197K  feihonltd
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FHF4N90A
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N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65D/FHD4N65D/FHP4N65D/FHF4N65D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

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FHF4N90A
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N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65B/FHP4N65B/FHD4N65B/FHF4N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

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FHF4N90A
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N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65A/FHP4N65A/FHD4N65A/FHF4N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.9 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

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N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65E/FHD4N65E/FHP4N65E/FHF4N65E MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650 V Crss ( 4.5pF) Low Crss (typical 4.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.1 Fast switching Qg-typ 18nC 100% 100% avalanche tested dv

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