FHF4N90A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHF4N90A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 25.2 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 76 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHF4N90A
FHF4N90A Datasheet (PDF)
fhf4n90a.pdf
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N N-CHANNEL MOSFET FHF4N90A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 900V Crss ( 7.4pF) Low Crss (typical 7.4pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.6 Fast switching Qg-typ 25.2nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/
fhu4n60a fhp4n60a fhd4n60a fhf4n60a.pdf
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N N-CHANNEL MOSFET FHU4N60A/FHP4N60A/FHD4N60A/FHF4N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.7 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested
fhu4n65d fhd4n65d fhp4n65d fhf4n65d.pdf
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N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65D/FHD4N65D/FHP4N65D/FHF4N65D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested
fhu4n65b fhp4n65b fhd4n65b fhf4n65b.pdf
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N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65B/FHP4N65B/FHD4N65B/FHF4N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested
fhu4n65a fhp4n65a fhd4n65a fhf4n65a.pdf
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N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65A/FHP4N65A/FHD4N65A/FHF4N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.9 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested
fhu4n65e fhd4n65e fhp4n65e fhf4n65e.pdf
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N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65E/FHD4N65E/FHP4N65E/FHF4N65E MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650 V Crss ( 4.5pF) Low Crss (typical 4.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.1 Fast switching Qg-typ 18nC 100% 100% avalanche tested dv
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