FHP100N08A Todos los transistores

 

FHP100N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHP100N08A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de FHP100N08A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FHP100N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  feihonltd
fhp100n08a.pdf pdf_icon

FHP100N08A

 6.1. Size:767K  feihonltd
fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf pdf_icon

FHP100N08A

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

 6.2. Size:1909K  feihonltd
fhp100n07a.pdf pdf_icon

FHP100N08A

6 6 90

 6.3. Size:757K  feihonltd
fhu100n03b fhd100n03b fhp100n03b.pdf pdf_icon

FHP100N08A

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03B/FHD100N03B/FHP100N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.9m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 7.2m 100% 100% avala

Otros transistores... FHF2N65A , FHP2N65A , FHU2N65A , FHD2N65A , FHF4N90A , FHF8N80B , FHP100N03A , FHP100N07A , 8205A , FHP10N60A , FHF10N60A , FHP10N65A , FHF10N65A , FHP10N65B , FHF10N65B , FHP110N8F5A , FHP120N08D .

History: AUIRF7736M2TR1 | BF1202WR | NTD4804NA-1G

 

 
Back to Top

 


 
.