FHP100N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FHP100N08A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 200 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 75 nC
   Tiempo de subida (tr): 65 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 440 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHP100N08A

FHP100N08A Datasheet (PDF)

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N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

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N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03B/FHD100N03B/FHP100N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.9m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 7.2m 100% 100% avala

6.4. Size:1017K feihonltd
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