Справочник MOSFET. FHP100N08A

 

FHP100N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHP100N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FHP100N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP100N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  feihonltd
 fhp100n08a.pdf pdf_icon

FHP100N08A

 6.1. Size:767K  feihonltd
 fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf pdf_icon

FHP100N08A

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

 6.2. Size:1909K  feihonltd
 fhp100n07a.pdf pdf_icon

FHP100N08A

6 6 90

 6.3. Size:757K  feihonltd
 fhu100n03b fhd100n03b fhp100n03b.pdf pdf_icon

FHP100N08A

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03B/FHD100N03B/FHP100N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.9m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 7.2m 100% 100% avala

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FHF2N65A , FHP2N65A , FHU2N65A , FHD2N65A , FHF4N90A , FHF8N80B , FHP100N03A , FHP100N07A , 8205A , FHP10N60A , FHF10N60A , FHP10N65A , FHF10N65A , FHP10N65B , FHF10N65B , FHP110N8F5A , FHP120N08D .

History: DMP57D5UFB | DMC1229UFDB | SUD45P03-10 | DMT3008LFDF | AP9565AGH-HF | AFN4997

 

 
Back to Top

 


 
.