Справочник MOSFET. FHP100N08A

 

FHP100N08A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHP100N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 75 nC
   Время нарастания (tr): 65 ns
   Выходная емкость (Cd): 440 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FHP100N08A

 

 

FHP100N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  feihonltd
fhp100n08a.pdf

FHP100N08A
FHP100N08A

 6.1. Size:767K  feihonltd
fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf

FHP100N08A
FHP100N08A

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

 6.2. Size:1909K  feihonltd
fhp100n07a.pdf

FHP100N08A
FHP100N08A

6 6 90

 6.3. Size:757K  feihonltd
fhu100n03b fhd100n03b fhp100n03b.pdf

FHP100N08A
FHP100N08A

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03B/FHD100N03B/FHP100N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.9m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 7.2m 100% 100% avala

 6.4. Size:1017K  feihonltd
fhp100n03a.pdf

FHP100N08A
FHP100N08A

N N-CHANNEL MOSFETFHP100N03A 2 1

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HGP040N06S

 

 
Back to Top