FHP12N65C Todos los transistores

 

FHP12N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHP12N65C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

FHP12N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:782K  feihonltd
 fhp12n65c fhf12n65c.pdf pdf_icon

FHP12N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHP12N65C/ FHF12N65C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 12A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.63 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 52nC dv/dt I

 7.1. Size:158K  1
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FHP12N65C

FHP12N60FHP12N60 N MOSAC-DCDC-DCHPMW 12A,600V,RDS(on)(0.6 TC=25 VDS

 7.2. Size:784K  feihonltd
 fhp12n60a fhf12n60a.pdf pdf_icon

FHP12N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHP12N60A/ FHF12N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 12A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.6 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 52nC dv/dt Im

 9.1. Size:802K  feihonltd
 fhp120n08d.pdf pdf_icon

FHP12N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHP120N08D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 190pF) Low Crss (typical 190pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.0 m Fast switching Qg-typ 60nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improve

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History: SHD226404 | NCE65N330 | NTMD3P03R2G | 2SJ596 | PSMN017-30BL | 2N7002LL | CS1N60B3R

 

 
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