FHP12N65C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FHP12N65C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для FHP12N65C
FHP12N65C Datasheet (PDF)
fhp12n65c fhf12n65c.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP12N65C/ FHF12N65C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 12A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.63 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 52nC dv/dt I
fhp12n60a fhf12n60a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP12N60A/ FHF12N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 12A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.6 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 52nC dv/dt Im
fhp120n08d.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP120N08D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 190pF) Low Crss (typical 190pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.0 m Fast switching Qg-typ 60nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improve
Другие MOSFET... FHP10N65A , FHF10N65A , FHP10N65B , FHF10N65B , FHP110N8F5A , FHP120N08D , FHP12N60A , FHF12N60A , AON7506 , FHF12N65C , FHP130N10A , FHP13N50A , FHF13N50A , FHP13N50C , FHF13N50C , FHP1404A , FHP150N03A .
History: FHS150N03A
History: FHS150N03A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786