FHP12N65C - аналоги и даташиты транзистора

 

FHP12N65C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FHP12N65C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FHP12N65C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP12N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:782K  feihonltd
 fhp12n65c fhf12n65c.pdf pdf_icon

FHP12N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHP12N65C/ FHF12N65C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 12A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.63 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 52nC dv/dt I

 7.1. Size:158K  1
 fhp12n60.pdf pdf_icon

FHP12N65C

FHP12N60FHP12N60 N MOSAC-DCDC-DCHPMW 12A,600V,RDS(on)(0.6 TC=25 VDS

 7.2. Size:784K  feihonltd
 fhp12n60a fhf12n60a.pdf pdf_icon

FHP12N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHP12N60A/ FHF12N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 12A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.6 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 52nC dv/dt Im

 9.1. Size:802K  feihonltd
 fhp120n08d.pdf pdf_icon

FHP12N65C

N N-CHANNEL MOSFET FHP120N08D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 190pF) Low Crss (typical 190pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.0 m Fast switching Qg-typ 60nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FHP10N65A , FHF10N65A , FHP10N65B , FHF10N65B , FHP110N8F5A , FHP120N08D , FHP12N60A , FHF12N60A , AON7506 , FHF12N65C , FHP130N10A , FHP13N50A , FHF13N50A , FHP13N50C , FHF13N50C , FHP1404A , FHP150N03A .

 

 
Back to Top

 


 
.