FHP13N50C Todos los transistores

 

FHP13N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHP13N50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

FHP13N50C Datasheet (PDF)

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FHP13N50C

N N-CHANNEL MOSFET FHP13N50C/FHF13N50C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 13A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 11pF) Low Crss (typical 11pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.4 Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

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FHP13N50C

N N-CHANNEL MOSFET FHP13N50A/FHF13N50A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 13A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.34 Fast switching Qg-typ 45nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

 9.1. Size:429K  feihonltd
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FHP13N50C

TRANSISTOR FHP13007A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC 8A High breakdown voltage VCBO 700V High switching speed VCEO 400V High current capability PC 80W High reliability RoHS RoHS product APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballas

 9.2. Size:262K  feihonltd
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FHP13N50C

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History: IPB031NE7N3G | BL7N80-B | TSM4N90CZ | AO4714 | R6015ENZ | 13N50G-T2Q-T | DMG9926USD

 

 
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