Справочник MOSFET. FHP13N50C

 

FHP13N50C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHP13N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FHP13N50C

 

 

FHP13N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:971K  feihonltd
 fhp13n50c fhf13n50c.pdf

FHP13N50C FHP13N50C

N N-CHANNEL MOSFET FHP13N50C/FHF13N50C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 13A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 11pF) Low Crss (typical 11pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.4 Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

 6.1. Size:1075K  feihonltd
 fhp13n50a fhf13n50a.pdf

FHP13N50C FHP13N50C

N N-CHANNEL MOSFET FHP13N50A/FHF13N50A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 13A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.34 Fast switching Qg-typ 45nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

 9.1. Size:429K  feihonltd
 fhp13007a.pdf

FHP13N50C FHP13N50C

TRANSISTOR FHP13007A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC 8A High breakdown voltage VCBO 700V High switching speed VCEO 400V High current capability PC 80W High reliability RoHS RoHS product APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballas

 9.2. Size:262K  feihonltd
 fhp130n10a.pdf

FHP13N50C FHP13N50C

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top