FHP150N1F4A Todos los transistores

 

FHP150N1F4A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHP150N1F4A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 223 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

FHP150N1F4A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  feihonltd
 fhp150n1f4a.pdf pdf_icon

FHP150N1F4A

 7.1. Size:1222K  feihonltd
 fhp150n03a fhs150n03a fhd150n03a.pdf pdf_icon

FHP150N1F4A

N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03A/FHS150N03A/FHD150N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30V Crss ( 314pF) Low Crss (typical 314pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.5m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.2m 100% 100% avalanc

 7.2. Size:782K  feihonltd
 fhp150n03c.pdf pdf_icon

FHP150N1F4A

N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 26 V Crss ( 405pF) Low Crss (typical 405pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.2m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 2.8m 100% 100% avalanche tested Qg-typ

 9.1. Size:618K  feihonltd
 fhp15n65a fhf15n65a.pdf pdf_icon

FHP150N1F4A

N N-CHANNEL MOSFET FHP15N65A /FHF15N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 15A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 16pF) Low Crss (typical 16pF ) Rdson-typ@Vgs=10V 0.46 Fast switching Qg-typ 50nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

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History: WMB072N12LG2-S | SSF6NS65UF

 

 
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