FHP150N1F4A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHP150N1F4A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 223 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 28.8 ns
Выходная емкость (Cd): 2250 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для FHP150N1F4A
FHP150N1F4A Datasheet (PDF)
fhp150n03a fhs150n03a fhd150n03a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03A/FHS150N03A/FHD150N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30V Crss ( 314pF) Low Crss (typical 314pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.5m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.2m 100% 100% avalanc
fhp150n03c.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 26 V Crss ( 405pF) Low Crss (typical 405pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.2m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 2.8m 100% 100% avalanche tested Qg-typ
fhp15n65a fhf15n65a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP15N65A /FHF15N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 15A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 16pF) Low Crss (typical 16pF ) Rdson-typ@Vgs=10V 0.46 Fast switching Qg-typ 50nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv
fhp15n60a fhf15n60a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP15N60A /FHF15N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 15A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 16pF) Low Crss (typical 16pF ) Rdson-typ@Vgs=10V 0.41 Fast switching Qg-typ 50nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
