Справочник MOSFET. FHP150N1F4A

 

FHP150N1F4A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHP150N1F4A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FHP150N1F4A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP150N1F4A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  feihonltd
fhp150n1f4a.pdfpdf_icon

FHP150N1F4A

 7.1. Size:1222K  feihonltd
fhp150n03a fhs150n03a fhd150n03a.pdfpdf_icon

FHP150N1F4A

N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03A/FHS150N03A/FHD150N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30V Crss ( 314pF) Low Crss (typical 314pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.5m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.2m 100% 100% avalanc

 7.2. Size:782K  feihonltd
fhp150n03c.pdfpdf_icon

FHP150N1F4A

N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 26 V Crss ( 405pF) Low Crss (typical 405pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.2m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 2.8m 100% 100% avalanche tested Qg-typ

 9.1. Size:618K  feihonltd
fhp15n65a fhf15n65a.pdfpdf_icon

FHP150N1F4A

N N-CHANNEL MOSFET FHP15N65A /FHF15N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 15A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 16pF) Low Crss (typical 16pF ) Rdson-typ@Vgs=10V 0.46 Fast switching Qg-typ 50nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

Другие MOSFET... FHF13N50A , FHP13N50C , FHF13N50C , FHP1404A , FHP150N03A , FHS150N03A , FHD150N03A , FHP150N03C , P0903BDG , FHP15N60A , FHF15N60A , FHP15N65A , FHF15N65A , FHP20N40A , FHP20N50A , FHF20N50A , FHP2N65D .

History: 9N70 | STP75N3LLH6

 

 
Back to Top

 


 
.