FHP50N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHP50N06A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de FHP50N06A MOSFET
FHP50N06A Datasheet (PDF)
fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt
Otros transistores... FHP3205C , FHP3710C , FHP40N20A , FHP40N20C , FHP4410A , FHP50N06 , FHU50N06D , FHD50N06D , NCEP15T14 , FHP50N06C , FHP540A , FHP540C , FHP60N06B , FHP640A , FHP6N90A , FHF6N90A , FHP730A .
History: SI7439DP | 3SK195 | WMO15N15T1 | OSG55R190DF | GSM4435W | FDN86265P | STC5NF20V
History: SI7439DP | 3SK195 | WMO15N15T1 | OSG55R190DF | GSM4435W | FDN86265P | STC5NF20V



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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