Справочник MOSFET. FHP50N06A

 

FHP50N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHP50N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP50N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  feihonltd
fhp50n06a.pdfpdf_icon

FHP50N06A

 6.1. Size:738K  feihonltd
fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdfpdf_icon

FHP50N06A

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

 6.2. Size:374K  feihonltd
fhp50n06c.pdfpdf_icon

FHP50N06A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AUIRFS8408-7P | AP2306CGN-HF | 1HP04CH | IRLL3303PBF | SI3447CDV | J174 | SWB031R06ET

 

 
Back to Top

 


 
.