FHP540C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FHP540C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 475 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHP540C

FHP540C Datasheet (PDF)

..1. Size:746K feihonltd
fhp540c.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP540C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 33A Low gate charge VDSS 100V Crss ( 71pF) Low Crss (typical 71pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 37m Fast switching Qg-typ 37nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt c

8.1. Size:1055K feihonltd
fhp540a.pdf