FHP540C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHP540C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 33 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 37 nC
Время нарастания (tr): 475 ns
Выходная емкость (Cd): 305 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm
Тип корпуса: TO-220
FHP540C Datasheet (PDF)
..1. Size:746K feihonltd
fhp540c.pdf
fhp540c.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP540C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 33A Low gate charge VDSS 100V Crss ( 71pF) Low Crss (typical 71pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 37m Fast switching Qg-typ 37nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt c
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SI4491EDY
