FHP8N65A Todos los transistores

 

FHP8N65A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHP8N65A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

FHP8N65A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  feihonltd
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FHP8N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHP8N65A /FHF8N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.0 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

 8.1. Size:811K  feihonltd
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FHP8N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHP8N60A /FHF8N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 15pF) Low Crss (typical 15pF ) Rdson-typ@Vgs=10V 0.9 Fast switching Qg-typ 29nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

 8.2. Size:995K  feihonltd
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FHP8N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHP8N60C /FHF8N60C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 12pF) Low Crss (typical 12pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.1 Fast switching Qg-typ 29nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improv

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History: RJK1525DPF | ET6309 | IRF1405ZL-7P | AP2312GN | IRF8852 | 3SK135A | SI5402BDC

 

 
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