Справочник MOSFET. FHP8N65A

 

FHP8N65A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHP8N65A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FHP8N65A

 

 

FHP8N65A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  feihonltd
 fhp8n65a fhf8n65a.pdf

FHP8N65A FHP8N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHP8N65A /FHF8N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.0 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

 8.1. Size:811K  feihonltd
 fhp8n60a fhf8n60a.pdf

FHP8N65A FHP8N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHP8N60A /FHF8N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 15pF) Low Crss (typical 15pF ) Rdson-typ@Vgs=10V 0.9 Fast switching Qg-typ 29nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

 8.2. Size:995K  feihonltd
 fhp8n60c fhf8n60c.pdf

FHP8N65A FHP8N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHP8N60C /FHF8N60C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 8A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 12pF) Low Crss (typical 12pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.1 Fast switching Qg-typ 29nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improv

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top