FHS80N07A Todos los transistores

 

FHS80N07A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHS80N07A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 73 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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FHS80N07A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1309K  feihonltd
fhs80n07a fhd80n07a.pdf pdf_icon

FHS80N07A

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N07A/FHD80N07A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 68 V Crss ( 270pF) Low Crss (typical 270pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

 7.1. Size:946K  feihonltd
fhs80n08b fhd80n08b.pdf pdf_icon

FHS80N07A

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N08B/FHD80N08B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

Otros transistores... FHP8N60C , FHF8N60C , FHP8N65A , FHF8N65A , FHS100N09A , FHS110N8F5A , FHS130N10A , FHS150N1F4A , IRF3710 , FHD80N07A , FHS80N08B , FHD80N08B , FHS90N08C , FHT5N60D , FHU100N03A , FHD100N03A , FHU100N03B .

History: STB12NK80Z | G2306A | IRFH8334PBF-1 | SSF3745 | FQAF34N25 | NP80N04NLG | FHD80N07A

 

 
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