FHU100N03B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FHU100N03B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 44.6 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 20.7 nC
   Tiempo de subida (tr): 12.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 132 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHU100N03B

FHU100N03B Datasheet (PDF)

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fhu100n03b fhd100n03b fhp100n03b.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03B/FHD100N03B/FHP100N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.9m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 7.2m 100% 100% avala

5.1. Size:767K feihonltd
fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

5.2. Size:1061K feihonltd
fhu100n03a fhd100n03a.pdf