Справочник MOSFET. FHU100N03B

 

FHU100N03B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHU100N03B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для FHU100N03B

 

 

FHU100N03B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  feihonltd
 fhu100n03b fhd100n03b fhp100n03b.pdf

FHU100N03B FHU100N03B

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03B/FHD100N03B/FHP100N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.9m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 7.2m 100% 100% avala

 5.1. Size:767K  feihonltd
 fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf

FHU100N03B FHU100N03B

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

 5.2. Size:1061K  feihonltd
 fhu100n03a fhd100n03a.pdf

FHU100N03B FHU100N03B

2 1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top