FHU4N65D Todos los transistores

 

FHU4N65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FHU4N65D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm

Encapsulados: TO-251

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FHU4N65D datasheet

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FHU4N65D

N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65D/FHD4N65D/FHP4N65D/FHF4N65D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

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FHU4N65D

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FHU4N65D

N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65A/FHP4N65A/FHD4N65A/FHF4N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.9 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

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FHU4N65D

N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65E/FHD4N65E/FHP4N65E/FHF4N65E MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650 V Crss ( 4.5pF) Low Crss (typical 4.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.1 Fast switching Qg-typ 18nC 100% 100% avalanche tested dv

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