SSI4N80A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSI4N80A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
SSI4N80A Datasheet (PDF)
Otros transistores... SSI1N50A , SSI1N60A , SSI2N60A , SSI2N80A , SSI2N90A , SSI3N80A , SSI3N90A , SSI4N60A , SKD502T , SSI4N80AS , SSI4N90A , SSI4N90AS , SSI5N80A , SSI5N90A , SSI6N70A , SSI7N60A , SSP10N60A .
History: SFU9220 | BUK7606-30 | SSM90T03GH
History: SFU9220 | BUK7606-30 | SSM90T03GH



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
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