SSI4N80A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSI4N80A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 32 nC
Tiempo de subida (tr): 29 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
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SSI4N80A Datasheet (PDF)
9.4. Size:644K fairchild semi
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November 2001SSW4N60B / SSI4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to
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